Fast Switch Thyristor (andian-dahatsoratra YC mahazatra)

Description

Ny fenitra famokarana GE sy ny teknolojia fanodinana dia nampidirina sy nampiasain'ny RUNAU Electronics nanomboka tamin'ny taona 1980.Ny fepetra famokarana sy fitsapana feno dia nifanitsy tanteraka tamin'ny fepetra takian'ny tsenan'i Etazonia.Amin'ny maha-mpisava lalana amin'ny famokarana thyristor any Shina, ny RUNAU Electronics dia nanome ny zava-kanto fitaovana elektronika an'ny fanjakana ho an'i Etazonia, firenena eoropeana ary mpampiasa manerantany.Tena mahafeno fepetra sy tombanan'ny mpanjifa izany ary fandresena sy lanja lehibe kokoa no noforonina ho an'ny mpiara-miombon'antoka.

Fampidirana:

1. Chip

Ny puce thyristor novokarin'ny RUNAU Electronics dia teknolojia fametahana sinterina ampiasaina.Ny wafer silisiôma sy molybdène dia nalaina tamin'ny alàlan'ny alimo madio (99.999%) amin'ny hafanana avo sy ny hafanana.Ny fitantanana ny toetran'ny sintering no antony lehibe misy fiantraikany amin'ny kalitaon'ny thyristor.Ny fahaizan'ny RUNAU Electronics ho fanampin'ny fitantanana ny halalin'ny fiompiana firaka, ny fisaka ambonin'ny tany, ny lavaka firaka ary ny fahaiza-manao diffusion feno, ny lamina boribory boribory, ny firafitry ny vavahady manokana.Ary koa ny fanodinana manokana dia nampiasaina mba hampihenana ny fiainan'ny mpitatitra ny fitaovana, ka ny hafainganam-pandehan'ny recombination ao anatiny dia nihena be, ny fiafaran'ny famerenana ny fitaovana dia nihena, ary ny hafainganam-pandehan'ny fifandimbiasana dia nohatsaraina noho izany.Ny fandrefesana toy izany dia nampiharina mba hanamafisana ny toetran'ny fifadian-kanina, ny toetran'ny fanjakana, ary ny fananan-tany ankehitriny.Ny fampandehanana sy ny fampitaovana ny thyristor dia azo itokisana sy mahomby.

2. Encapsulation

Amin'ny fanaraha-maso hentitra ny fisaka sy ny parallèle ny molybdène wafer sy ny fonosana ivelany, ny chip sy ny molybdène wafer dia ampidirina amin'ny fonosana ivelany mafy sy tanteraka.Ny toy izany dia hanatsara ny fanoherana ny firongatry ny fisondrotana sy ny avo lenta amin'izao fotoana izao.Ary ny fandrefesana ny teknolojia evaporation elektronika dia nampiasaina mba hamoronana sarimihetsika aluminium matevina amin'ny silisiôna wafer surface, ary ny sosona ruthenium voapetaka amin'ny molybdène dia hanatsara ny fanoherana ny havizanana mafana, ny fotoana fiasan'ny thyristor mifamadika haingana dia hitombo be.

Famaritana ara-teknika

1. Fast switch thyristor miaraka amin'ny firaka karazana chip novokarin'ny RUNAU Electronics afaka manome ny vokatra mahafeno fepetra ny USA.
2. I_GT, V_GTsy izaho_Hdia ny sanda fitsapana amin'ny 25 ℃, raha tsy misy filazana hafa, ny masontsivana hafa rehetra dia ny sanda fitsapana eo ambanin'ny T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal antsasaky ny onjan'ny sakan'ny fototra ankehitriny.Amin'ny 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Amin'ny 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;aho²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: