Press-Pack IGBT
Fonosana gazety IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80 ℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| Sary CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| Sary CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Fanamarihana:D- miaraka diode part, A-tsy misy ampahany diode
Amin'ny fomba mahazatra, ny maody IGBT mifandray amin'ny solder dia nampiharina tamin'ny fitaovam-pamokarana ny rafitra fifindran'ny DC flexible.Ny fonosana Module dia lafiny tokana fanaparitahana hafanana.Ny fahafahan'ny fitaovana dia voafetra ary tsy mety ny mifandray amin'ny andian-dahatsoratra, ny androm-piainany amin'ny rivotra sira, ny vibration anti-shock na ny harerahana mafana.
Ny fitaovana vaovao karazana press-contact high-power press-pack IGBT dia tsy vitan'ny hoe mamaha tanteraka ny olan'ny fahabangan-toerana amin'ny fizotran'ny fametahana, ny harerahana mafana amin'ny fitaovana fametahana ary ny fahombiazan'ny fanaparitahana hafanana amin'ny lafiny tokana, fa koa manafoana ny fanoherana mafana eo amin'ny singa isan-karazany, hampihena ny habeny sy ny lanjany.Ary manatsara ny fahombiazan'ny asa sy ny fahamendrehan'ny fitaovana IGBT.Tena mety amin'ny fanomezana fahafaham-po ny fepetra avo lenta, avo lenta, azo itokisana avo lenta amin'ny rafitra fifindran'ny DC flexible.
Tena ilaina ny fanoloana karazana fifandraisana amin'ny solder amin'ny alàlan'ny kitapom-gazety IGBT.
Nanomboka ny taona 2010, novolavolaina ny Runau Electronics mba hamolavola fitaovana IGBT karazana fanaovan-gazety vaovao ary hahomby amin'ny famokarana amin'ny taona 2013. Nohamarinin'ny mari-pahaizana nasionaly ny fampisehoana ary vita ny zava-bitany.
Ankehitriny dia afaka manamboatra sy manome andian-gazety IGBT amin'ny IC isan-karazany amin'ny 600A hatramin'ny 3000A sy VCES amin'ny 1700V hatramin'ny 6500V izahay.Ny fahatsinjovana mahafinaritra amin'ny kitapom-gazety IGBT vita any Shina hampiharina ao amin'ny rafitra fifindran'ny DC flexible ao Shina dia antenaina ary ho lasa vato kilometatra eran'izao tontolo izao amin'ny indostrian'ny herinaratra ao Shina taorian'ny lamasinina elektrika haingam-pandeha.
Fampidirana fohy momba ny fomba mahazatra:
1. Fomba: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Toetra elektrika aorian'ny famonosana sy fanindriana
● Mivadikamifanindran-dàlanamifandraydiode fanarenana haingananamarana
● Paramètre:
Sanda naoty (25 ℃)
a.Voladin'ny mpanangona: VGES=1700（V）
b.Vavahady Emitter Voltage: VCES=±20（V）
c.Ny mpanangona ankehitriny: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Famotehana herinaratra mpanangona: PC=4440（W）
e.Temperature Junction miasa: Tj=－20~125℃
f.Temperature fitehirizana: Tstg=－40~125℃
Nomarihina: ho simba ny fitaovana raha mihoatra ny sanda nomena
herinaratraCharacteristics, TC＝125℃，Rth (thermal fanoherana nyjunction mankanytranga）tsy tafiditra
a.Vavahady Leakage Current: IGES=±5（μA）
b.Mpamory mpanangona manakana ny ICES ankehitriny=250（mA）
c.Volavolan'ny saturation mpanangona mpanangona: VCE(sat)=6(V)
d.Vavahady Emitter Tetezan'ny tokonam-baravarana: VGE(th)=10(V)
e.Fotoana fampandehanana: Ton=2.5μs
f.Fotoana famonoana: Toff=3μs
2. Fomba: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Toetra elektrika aorian'ny famonosana sy fanindriana
● Mivadikamifanindran-dàlanamifandraydiode fanarenana haingananamarana
● Paramètre:
Sanda naoty (25 ℃)
a.Voladin'ny mpanangona: VGES=2500（V）
b.Vavahady Emitter Voltage: VCES=±20（V）
c.Ny mpanangona ankehitriny: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Fanaparitahana hery mpanangona: PC=4800（W）
e.Temperature Junction miasa: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Temperature fitehirizana: Tstg=－40~125℃
Nomarihina: ho simba ny fitaovana raha mihoatra ny sanda nomena
herinaratraCharacteristics, TC＝125℃，Rth (thermal fanoherana nyjunction mankanytranga）tsy tafiditra
a.Vavahady Leakage Current: IGES=±15（μA）
b.Ny mpanangom-bokatra manakana ny ICES ankehitriny=25（mA）
c.Volavolan'ny Saturation Emitter mpanangona: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Vavahady Emitter Fehezan-tehezana: VGE(th)=6.3(V)
e.Fotoana famelomana: Ton=3.2μs
f.Fotoana famonoana: Toff=9.8μs
g.Volavolan'ny diode: VF=3.2 V
h.Fotoana fanarenana ny Diode: Trr = 1.0 μs
3. Fomba: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Toetra elektrika aorian'ny famonosana sy fanindriana
● Mivadikamifanindran-dàlanamifandraydiode fanarenana haingananamarana
● Paramètre:
Sanda naoty (25 ℃)
a.Voladin'ny mpanangona: VGES=4500（V）
b.Vavahady Emitter Voltage: VCES=±20（V）
c.Ny mpanangona ankehitriny: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Famotehana ny herin'ny mpanangona: PC=7700（W）
e.Temperature Junction miasa: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Temperature fitehirizana: Tstg=－40~125℃
Nomarihina: ho simba ny fitaovana raha mihoatra ny sanda nomena
herinaratraCharacteristics, TC＝125℃，Rth (thermal fanoherana nyjunction mankanytranga）tsy tafiditra
a.Vavahady Leakage Current: IGES=±15（μA）
b.Ny mpanangom-bokatra manakana ny ICES ankehitriny=50（mA）
c.Volavolan'ny Saturation Emitter mpanangona: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Vavahady Emitter Fehezan-tehezana: VGE(th)=5.2 (V)
e.Fotoana fandefasana: Ton=5.5μs
f.Fotoana famonoana: Toff=5.5μs
g.Volavolan'ny diode: VF=3.8 V
h.Fotoana fanarenana ny Diode: Trr = 2.0 μs
Fanamarihana:Press-pack IGBT dia tombony amin'ny fahatokisana mekanika avo lenta, fanoherana avo lenta amin'ny fahasimbana ary ny toetran'ny rafitry ny fifandraisana an-gazety, dia mora ampiasaina amin'ny fitaovana andiany, ary raha ampitahaina amin'ny thyristor GTO nentim-paharazana, ny IGBT dia fomba fiasa malefaka. .Noho izany dia mora ny miasa, azo antoka ary midadasika.