Phase Control Thyristor (karazana Alloying)

Famaritana:

Thyristor, fantatra ihany koa amin'ny hoe Silicon Control Rectifier (SCR), dia fitaovana semiconductor mahery vaika misy rafitra PN telo.Raha ny zava-bitany, ny thyristor dia tsy manana conductivity unidirectional fotsiny, fa manana fifehezana sarobidy kokoa noho ny singa rectifier silisiôma, izay fanjakana roa ihany ny conduction sy off-state, mba hifehezana hery lehibe amin'ny hery kely, fanamafisana ny hery hatramin'ny an-jatony na in'arivony.Haingana dia haingana ny fanehoan-kevitra, mihodina sy mamono ao anatin'ny micro-segondra.Non-contact fandidiana, tsy misy pitik'afo, tsy misy tabataba, raha avo fahombiazana sy ambany vidiny.Noho izany, indrindra amin'ny rafitra famatsiana herinaratra avo lenta, ny thyristor dia nampiasaina betsaka tamin'ny rectifier circuit, static bypass switch, contact-free output switch ary faritra hafa.

Ny fenitra famokarana thyristor sy ny teknolojia fanodinana an'ny RUNAU Electronics dia nampidirina avy any Etazonia hatramin'ny taona 1980, amin'ny maha-mpisava lalana ny famokarana thyristor any Shina, ny ekipa ara-teknika an'ny RUNAU dia nahazo ny fahalalana faran'izay haingana sy traikefa momba ny famokarana ampy nandritra ny 30 taona mahery.Amin'ny fototry ny dingana famokarana nentim-paharazana, ny talenta teknisiana RUNAU Electronics dia namolavola ny teknolojian'ny fanjakana amin'ny famokarana thyristor miaraka amin'ny tombony amin'ny vokatra eoropeana, ny kalitao sy ny fampandehanana dia mihatsara be, ny fandresena lehibe kokoa azo amin'ny fampiharana ny elektronika herinaratra. saha, ary nisy lanja bebe kokoa noforonina ho an'ny mpiara-miombon'antoka.

Fampidirana:

1. Chip

Ny puce thyristor novokarin'ny RUNAU Electronics dia teknolojia fametahana sinterina ampiasaina.Ny wafer silisiôma sy molybdène dia nalaina tamin'ny alàlan'ny alimo madio (99.999%) amin'ny hafanana avo sy ny hafanana.Ny fitantanana ny toetran'ny sintering no antony lehibe misy fiantraikany amin'ny kalitaon'ny thyristor.Ny fahaizan'ny RUNAU Electronics ho fanampin'ny fitantanana ny halalin'ny fifandraisana amin'ny firaka, ny fisaka ambonin'ny tany, ny lavaka firaka ary ny fahaiza-manao diffusion feno, ny vavahady afovoany, ny endrika boribory boribory dia nampiharina mba hahafahan'ny thyristor azo antoka sy mahomby, mba hahazoana miantoka ny fampisehoana avo lenta.

2. Encapsulation

Amin'ny fanaraha-maso hentitra ny fisaka sy ny parallèle ny molybdène wafer sy ny fonosana ivelany, ny chip sy ny molybdène wafer dia ampidirina amin'ny fonosana ivelany mafy sy tanteraka.Ny toy izany dia hanatsara ny fanoherana ny firongatry ny fisondrotana sy ny avo lenta amin'izao fotoana izao.Ary ny fandrefesana ny teknolojian'ny evaporation elektronika dia nampiasaina mba hamoronana sarimihetsika aluminium matevina amin'ny tampon'ny silisiôma, ary ny sosona ruthenium voapetaka amin'ny molybdène dia hanatsara ny fanoherana ny havizanana mafana, ny fotoana fiasan'ny thyristor dia hitombo be.

Famaritana ara-teknika

1. Ny thyristor mifehy ny dingana miaraka amin'ny chip karazana firaka novokarin'ny RUNAU Electronics, isan-karazany I_TAVavy amin'ny 300A ka hatramin'ny 6000A sy V_DRM/V_RRMAvy amin'ny 800V ka hatramin'ny 4400V.
2. I_GT, V_GTsy izaho_Hdia ny sanda fitsapana amin'ny 25 ℃, raha tsy misy filazana hafa, ny masontsivana hafa rehetra dia ny sanda fitsapana eo ambanin'ny T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal antsasaky ny onjan'ny sakan'ny fototra ankehitriny.Amin'ny 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Amin'ny 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;aho²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: